FDB86360-F085

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

207 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

333 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDB86360_F085

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

70 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

197 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

86 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

75 ns

Parte # Alias:

FDB86360_F085

Unità di peso:

0.046296 oz

Tags

FDB86360-F, FDB86360, FDB863, FDB86, FDB8, FDB