TSM061NA03CV RGG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PDFN33-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

66 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

19.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

44.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

Raddrizzatori

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

51 S

Tempo di caduta:

7.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.6 ns

Tags

TSM06, TSM0, TSM