APT80GP60B2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.2 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

100 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

1.041 kW

Pacchetto/custodia:

T-Max-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

Foro passante

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Tags

APT80GP, APT80G, APT80, APT8, APT