2N5416

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

350 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5416

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5416 PBFREE

Tags

2N5416, 2N541, 2N54, 2N5