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CMPA801B025F

CMPA801B025F
Mfr. #:
CMPA801B025F
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 8.0-11.0GHz, 25 Watt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CMPA801B025F Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CMPA801B025F maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Amplificatore RF
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
DFN-8
Tipo:
LNA di guadagno piatto
Frequenza operativa:
600 MHz to 6 GHz
P1dB - Punto di compressione:
19 dBm
Guadagno:
21.6 dB
Tensione di alimentazione operativa:
5 V
NF - Figura di rumore:
0.95 dB
Frequenza di prova:
5.5 GHz
OIP3 - Intercettazione del terzo ordine:
35.5 dBm
Corrente di alimentazione operativa:
56 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 105 C
Serie:
QPL9503
Confezione:
Bobina
Marca:
Qorvo
Numero di canali:
1 Channel
Kit di sviluppo:
QPL9503EVB-01
Perdita di ritorno in ingresso:
10 dB
Tipologia di prodotto:
Amplificatore RF
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
Circuiti integrati wireless e RF
Tags
CMPA8, CMPA, CMP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ 440208
***hardson RFPD
RF & MW POWER AMPLIFIER
GaN HEMT based MMICs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMT (High Electron Mobility Transistor) based MMICs (monolithic microwave integrated circuits) enable extremely wide bandwidths to be achieved in small footprint packages. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.Learn More
X-Band GaN HEMTs & MMICs
Wolfspeed/Cree X-Band GaN HEMTs & MMICs wide bandgap increases the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CMPA801B025F
DISTI # CMPA801B025F-ND		WolfspeedIC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ 440208
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		124In Stock
  • 1:$414.1000
CMPA801B025F-TB
DISTI # CMPA801B025F-TB-ND		WolfspeedIC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ MODULE
RoHS: Compliant
Min Qty: 2
Container: Bulk		Temporarily Out of Stock
  • 2:$715.0000
CMPA801B025F
DISTI # 941-CMPA801B025F		Cree, Inc.RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 8.0-11.0GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant		12
  • 1:$414.1000
CMPA801B025F-TB
DISTI # 941-CMPA801B025F-TB		Cree, Inc.RF Amplifier Test Board without GaN MMIC
RoHS: Compliant		6
  • 1:$715.0000
CMPA801B025F
DISTI # CMPA801B025F		WolfspeedRF & MW POWER AMPLIFIER
RoHS: Compliant		0
  • 1:$414.1000
Immagine Parte # Descrizione
CMPA801B025F-TB

Mfr.#: CMPA801B025F-TB

OMO.#: OMO-CMPA801B025F-TB

 RF Amplifier Test Board without GaN MMIC
AIML-0603-270K-T

Mfr.#: AIML-0603-270K-T

OMO.#: OMO-AIML-0603-270K-T

 Fixed Inductors 27000nH, 1mA Tol.=+/-5%
AIML-0603-270K-T

Mfr.#: AIML-0603-270K-T

OMO.#: OMO-AIML-0603-270K-T-ABRACON

 Fixed Inductors 27000nH, 1mA Tol.=+/-5%
CMPA801B025F-TB

Mfr.#: CMPA801B025F-TB

OMO.#: OMO-CMPA801B025F-TB-WOLFSPEED

 IC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ MODULE
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4000
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