R8010ANX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

560 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

62 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.8 mm

Lunghezza:

15.4 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

R8010ANX

Tipo di transistor:

1 N-channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

10.3 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.2 S

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

54 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

97 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

43 ns

Parte # Alias:

R8010ANX

Unità di peso:

0.090478 oz

Tags

R8010, R801, R80