NZT660A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

E

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

500 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

75 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NZT660A

Guadagno di corrente CC hFE Max:

550

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.56 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

NZT660A_NL

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

NZT660A, NZT66, NZT6, NZT