RJK2075DPA-00#J5A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Renesas Elettronica

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WPAK-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

54 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

38 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

RJK2075

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Renesas Elettronica

Tempo di caduta:

34 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

49 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 ns

Tags

RJK207, RJK20, RJK2, RJK