IXFP3N120

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

16 mm

Lunghezza:

10.66 mm

Serie:

IXFP3N120

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HiPerFET

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

1.5 S

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXFP3N, IXFP3, IXFP, IXF