APT4M120K

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.12 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

43 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

225 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

POWER MOS 8

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.19 mm

Lunghezza:

10.26 mm

Larghezza:

4.72 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

4.5 S

Tempo di caduta:

6.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

APT4, APT