KSB1151YSTSSTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-126-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.14 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSB1151

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

8 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

3.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Pd - Dissipazione di potenza:

1300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

60

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

KSB1151YSTSSTU_NL

Unità di peso:

0.026738 oz

Tags

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