FF900R12IP4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.1 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

900 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

5.1 kW

Pacchetto/custodia:

PRIME2

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

38 mm

Lunghezza:

172 mm

Larghezza:

89 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

3

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF900R12IP4BOSA2 SP000609750

Unità di peso:

1.819 lbs

Tags

FF900R12IP, FF900R12, FF900, FF90, FF9