2DD1664Q-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

32 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

280 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2DD16

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.48 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.001834 oz

Tags

2DD1664Q, 2DD166, 2DD16, 2DD1, 2DD