ZVP4525E6TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-26-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

197 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

40 V

Qg - Carica cancello:

2.45 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.3 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

ZVP4525

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

1.8 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tempo di caduta:

3.78 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.78 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.53 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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