TPN2R703NL,L1Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSON-Advance-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

45 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

21 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Serie:

TPN2R703NL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.1 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

TPN2R703N, TPN2R7, TPN2R, TPN2, TPN