BC857BM,315

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1006-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 400 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 100 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

220 at 2 mA, 5 V

Altezza:

0.47 mm

Lunghezza:

1.02 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.62 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

220 at 2 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

430 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC857BM T/R

Tags

BC857BM, BC857B, BC857, BC85, BC8