APTGV25H120BG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Ponte completo

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.7 V, 3.2 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

40 A, 70 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA, 100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

156 W, 208 W, 312 W

Pacchetto/custodia:

SP4

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 100 C

Tecnologia:

si

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

3.880136 oz

Tags

APTGV, APTG, APT