BSC057N03LSGATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

71 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

45 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

36 S

Tempo di caduta:

3.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.7 ns

Parte # Alias:

BSC057N03LS BSC57N3LSGXT G SP000275113

Tags

BSC057N03LSG, BSC057N03L, BSC057N03, BSC057, BSC05, BSC0, BSC