APTM08TAM04PG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Fase fase

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

SP6-P

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 100 C

Confezione:

Tubo

Configurazione:

3-Phase

Marca:

Microchip / Microsemi

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

65 ns

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Pd - Dissipazione di potenza:

138 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.2 mOhms

Ora di alzarsi:

60 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Unità di peso:

3.880136 oz

Tags

APTM, APT