2SA1943-O(Q)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

230 V

Collettore-tensione di base VCBO:

230 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SA1943

Altezza:

26 mm

Lunghezza:

20.5 mm (Max)

Larghezza:

5.2 mm (Max)

Marca:

Toshiba

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

150000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.238311 oz

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2SA1943-O(Q, 2SA1943-O, 2SA1943, 2SA194, 2SA19, 2SA1, 2SA