VUM25-05E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

V1-A-Pack-10

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

35 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

170 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

17 mm

Lunghezza:

63 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

31.6 mm

Marca:

IXYS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

24

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

220 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

100 ns

Tags

VUM2, VUM