BSS84PW H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

150 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

BSS84

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tempo di caduta:

20.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.7 ns

Parte # Alias:

BSS84PWH6327XT BSS84PWH6327XTSA1 SP000917564

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BSS84PWH, BSS84PW, BSS84P, BSS84, BSS8, BSS