IPL65R099C7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

21 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

88 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

45 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

128 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

8 mm

Serie:

CoolMOS C7

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

89 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

IPL65R099C7AUMA1 SP001032722

Tags

IPL65R0, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL