FJN3309RBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

4.7 kOhms

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Massa

Guadagno di corrente CC hFE Max:

600

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Tipo:

Transistor epitassiale al silicio NPN

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.006286 oz

Tags

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