BSZ180P03NS3E G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

39.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS P3

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ18P3NS3EGXT SP000709740

Tags

BSZ180P03NS3E, BSZ18, BSZ1, BSZ