2SC5826TV2Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 2 V

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

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2SC5826, 2SC582, 2SC58, 2SC5, 2SC