APT150GN60B2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli IGBT in carburo di silicio

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.45 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

220 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

600 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

536 W

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

Foro passante

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

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