QH8MA3TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A, 5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms, 37 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7.2 nC, 10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.7 S, 3.3 S

Tempo di caduta:

5.7 ns, 20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns, 12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.2 ns, 8 ns

Parte # Alias:

QH8MA3

Tags

QH8MA, QH8M, QH8