IXTQ102N15T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3P-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

102 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

18 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

455 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Massa

Lunghezza:

15.8 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.194007 oz

Tags

IXTQ102, IXTQ10, IXTQ1, IXTQ, IXT