IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1
Mfr. #:
IPDD60R102G7XTMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET HIGH POWER_NEW
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPDD60R102G7XTMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
PG-HDSOP-10
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
600 V
Id - Corrente di scarico continua:
23 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
102 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
3 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Qg - Carica cancello:
34 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
139 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Bobina
Marca:
Tecnologie Infineon
Tempo di caduta:
4 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
5 ns
Quantità confezione di fabbrica:
1700
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
60 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
18 ns
Parte # Alias:
IPDD60R102G7 SP001632832
Tags
IPDD60R1, IPDD6, IPDD, IPD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 102 mOhm 34 nC CoolMOS™ G7 Power Transistor - HDSOP-10
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 10-Pin HDSOP EP T/R
***i-Key
MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
***ronik
N-CH 600V 23A 88mOhm HDSOP-10
***et Europe
HIGH POWER_NEW
***ark
Mosfet, N-Ch, 600V, 23A, Hdsop; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.088Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 600V, 23A, HDSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.088ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:139W; Transistor Case Style:HDSOP; No. of Pins:10Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:CoolMOS C7 Gold Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET, CA-N, 600V, 23A, HDSOP; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.088ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione di Potenza Pd:139W; Modello Case Transistor:HDSOP; No. di Pin:10Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:CoolMOS C7 Gold Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPDD60R102G7XTMA1
DISTI # V72:2272_19084635
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 23A 10-Pin HDSOP EP T/R0
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # IPDD60R102G7XTMA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    490In Stock
    • 500:$3.6173
    • 100:$4.4672
    • 10:$5.4480
    • 1:$6.1000
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # IPDD60R102G7XTMA1DKR-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    490In Stock
    • 500:$3.6173
    • 100:$4.4672
    • 10:$5.4480
    • 1:$6.1000
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # IPDD60R102G7XTMA1TR-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1700
    Container: Tape & Reel (TR)
    On Order
    • 3400:$2.8138
    • 1700:$2.9619
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # IPDD60R102G7XTMA1
    Infineon Technologies AGHIGH POWER_NEW - Tape and Reel (Alt: IPDD60R102G7XTMA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1700
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 1700:$2.6900
    • 3400:$2.5900
    • 6800:$2.4900
    • 10200:$2.3900
    • 17000:$2.3900
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # SP001632832
    Infineon Technologies AGHIGH POWER_NEW (Alt: SP001632832)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1700
    Europe - 0
    • 1700:€3.3900
    • 3400:€2.7900
    • 6800:€2.4900
    • 10200:€2.3900
    • 17000:€2.1900
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # 59AC7041
    Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 600V, 23A, HDSOP,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:23A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.088ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3.5V,Power RoHS Compliant: Yes475
    • 1000:$2.6900
    • 500:$3.1900
    • 250:$3.5500
    • 100:$3.7500
    • 50:$3.9400
    • 25:$4.1300
    • 10:$4.3200
    • 1:$5.0900
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # 726-IPDD60R102G7XTM1
    Infineon Technologies AGMOSFET HIGH POWER_NEW
    RoHS: Compliant
    470
    • 1:$5.0900
    • 10:$4.3200
    • 100:$3.7500
    • 250:$3.5500
    • 500:$3.1900
    • 1000:$2.6900
    • 1700:$2.5500
    IPDD60R102G7XTMA1Infineon Technologies AG650v, 66a, 102mOhms, DDPAK Mosfet
    RoHS: Compliant
    30Cut Tape/Mini-Reel
    • 1:$4.3200
    • 50:$3.2100
    • 100:$3.0400
    • 250:$2.8300
    • 500:$2.6900
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # 2888463
    Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 600V, 23A, HDSOP
    RoHS: Compliant
    475
    • 500:$5.3800
    • 100:$6.6400
    • 10:$8.0900
    • 1:$9.0600
    IPDD60R102G7XTMA1
    DISTI # 2888463
    Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 600V, 23A, HDSOP
    RoHS: Compliant
    475
    • 500:£2.4900
    • 250:£2.7600
    • 100:£2.9200
    • 10:£3.3600
    • 1:£4.4100
    Immagine Parte # Descrizione
    IMC101TT038XUMA1

    Mfr.#: IMC101TT038XUMA1

    OMO.#: OMO-IMC101TT038XUMA1

    Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers IMOTION
    IPDD60R150G7XTMA1

    Mfr.#: IPDD60R150G7XTMA1

    OMO.#: OMO-IPDD60R150G7XTMA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW
    MURA160T3G

    Mfr.#: MURA160T3G

    OMO.#: OMO-MURA160T3G

    Rectifiers 600V 1A UltraFast
    IDDD06G65C6XTMA1

    Mfr.#: IDDD06G65C6XTMA1

    OMO.#: OMO-IDDD06G65C6XTMA1

    Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
    LTC3894EFE#PBF

    Mfr.#: LTC3894EFE#PBF

    OMO.#: OMO-LTC3894EFE-PBF

    Switching Controllers LowIQ StepDown DC/DC 100% Duty Cycle
    VLS6045EX-221M

    Mfr.#: VLS6045EX-221M

    OMO.#: OMO-VLS6045EX-221M

    Fixed Inductors 221uH
    CA0612KRX7R9BB102

    Mfr.#: CA0612KRX7R9BB102

    OMO.#: OMO-CA0612KRX7R9BB102-YAGEO

    Capacitor Arrays & Networks 1nF 50V X7R 10%
    VLS6045EX-221M

    Mfr.#: VLS6045EX-221M

    OMO.#: OMO-VLS6045EX-221M-TDK

    Fixed Inductors 221uH
    IDDD06G65C6XTMA1

    Mfr.#: IDDD06G65C6XTMA1

    OMO.#: OMO-IDDD06G65C6XTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    SIC DIODES
    IMC101TT038XUMA1

    Mfr.#: IMC101TT038XUMA1

    OMO.#: OMO-IMC101TT038XUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V TSSOP-38
    Disponibilità
    Azione:
    450
    Su ordine:
    2433
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di IPDD60R102G7XTMA1 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Iniziare con
    Top