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TGF2953

TGF2953
Mfr. #:
TGF2953
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2953 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2953 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
18.2 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
32 V
Id - Corrente di scarico continua:
820 mA
Potenza di uscita:
41.6 dBm
Tensione massima della porta di drenaggio:
100 V
Temperatura di esercizio minima:
- 65 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
17 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
Morire
Confezione:
Confezione di gel
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
15 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 65 C to + 150 C
Marca:
Qorvo
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1112257
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 12 W, 18.2 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2953
DISTI # 772-TGF2953		QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
RoHS: Compliant		50
  • 50:$43.9000
  • 100:$37.9700
1112257
DISTI # TGF2953		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$25.3000
Immagine Parte # Descrizione
HMC424ALP3E

Mfr.#: HMC424ALP3E

OMO.#: OMO-HMC424ALP3E

 Attenuators 5 dB LSB 6-Bit dig atten SMT
PIC16F886-I/SP

Mfr.#: PIC16F886-I/SP

OMO.#: OMO-PIC16F886-I-SP

 8-bit Microcontrollers - MCU 14KB Flash 368 RAM 25 I/O
02015J1R0PBSTR

Mfr.#: 02015J1R0PBSTR

OMO.#: OMO-02015J1R0PBSTR

 Silicon RF Capacitors / Thin Film 50V 1pF .02pFTol ThinFilm 0201
HMC424ALP3E

Mfr.#: HMC424ALP3E

OMO.#: OMO-HMC424ALP3E-ANALOG-DEVICES

 Active Attenuator Attenuators 5 dB LSB 6-Bit dig atten SMT
XFL4020-222MEB

Mfr.#: XFL4020-222MEB

OMO.#: OMO-XFL4020-222MEB-1190

 Fixed Inductors 2.2uH 20% 8A 23.5mOhms AEC-Q200
ABM10W-30.0000MHZ-4-B1U-T3

Mfr.#: ABM10W-30.0000MHZ-4-B1U-T3

OMO.#: OMO-ABM10W-30-0000MHZ-4-B1U-T3-ABRACON

 Crystal 30MHz ±10ppm (Tol) ±10ppm (Stability) 4pF FUND 70Ohm 4-Pin SMD T/R
1132-6025

Mfr.#: 1132-6025

OMO.#: OMO-1132-6025-AMPHENOL-SV-MICROWAVE

 RF Adapters - Between Series SMPM F to SMA F Thread-In Adapte
ASDMB-48.000MHZ-XY-T

Mfr.#: ASDMB-48.000MHZ-XY-T

OMO.#: OMO-ASDMB-48-000MHZ-XY-T-ABRACON

 Standard Clock Oscillators 48MHz 10ppm -40C +105C
9C-27.000MEEJ-T

Mfr.#: 9C-27.000MEEJ-T

OMO.#: OMO-9C-27-000MEEJ-T-TXC

 Crystals 27.000MHz 10ppm -20 +70C 18pF
C005YK1R0PBSTR

Mfr.#: C005YK1R0PBSTR

OMO.#: OMO-C005YK1R0PBSTR-AVX

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16volts 1.0pF
Disponibilità
Azione:
50
Su ordine:
2033
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Il prezzo attuale di TGF2953 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
50
43,90 USD
2 195,00 USD
100
37,97 USD
3 797,00 USD
250
35,69 USD
8 922,50 USD
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