HS8K1TB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSML3030L-10

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

6 nC, 7.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

2.9 ns, 3.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns, 5.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19.2 ns, 19.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.2 ns, 8.4 ns

Parte # Alias:

HS8K1

Tags

HS8K1, HS8K, HS8