NPT1012B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN Si

Guadagno:

13 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

3 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Pd - Dissipazione di potenza:

44 W

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

4 GHz

Marca:

MACOM

P1dB - Punto di compressione:

43 dBm

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

440 mOhms

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 1.8 V

Unità di peso:

0.007760 oz

Tags

NPT101, NPT10, NPT1, NPT