MJD32C-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.2 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD32C

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

1560 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

MJD32C-1, MJD32C, MJD32, MJD3, MJD