2N4208

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 4.5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

700 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N4208

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.84 mm

Confezione:

Scatola

Larghezza:

5.84 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

2N420, 2N42, 2N4