2N6433

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6433

Guadagno di corrente CC hFE Max:

150

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.84 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

5.84 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6433 PBFREE

Tags

2N643, 2N64, 2N6