BC817DPN,125

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-457-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

700 mV

Corrente massima del collettore CC:

500 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC817

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400 at 100 mA, 1 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

160 at 100 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

370 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

BC817DPN,1, BC817DP, BC817D, BC817, BC81, BC8