STS2DPFS20V

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

STS2DPFS20V

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

38 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

STS2DPFS, STS2DP, STS2D, STS2, STS