TK040N65Z,S1F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

57 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

105 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Serie:

TK040N65Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

170 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

120 ns

Tags

TK040, TK04, TK0