QS8F2TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P, PNP

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

44 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

13 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

QS8F2

Tipo di transistor:

1 P-Channel, PNP

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

85 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

130 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Tags

QS8F, QS8