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GA20SICP12-263

GA20SICP12-263
Mfr. #:
GA20SICP12-263
Produttore:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
GA20SICP12-263 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Semiconduttore GeneSiC
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
SiC
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-263-7
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
1.2 kV
Id - Corrente di scarico continua:
45 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
50 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
30 V
Qg - Carica cancello:
100 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
282 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Altezza:
4.597 mm
Lunghezza:
10.668 mm
Serie:
GA20SICP12
Tipo:
Pacchetto transistor/diodi Schottky
Larghezza:
9.169 mm
Marca:
Semiconduttore GeneSiC
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
MOSFET
Unità di peso:
0.056438 oz
Tags
GA20S, GA20, GA2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
***eSiC Semiconductor
SiC Junction Transistor 1200V 50mΩ TO-263-7
***i-Key
SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
***nell
SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263; Drain Source; SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Continuous Drain Current Id:20A; Power Dissipation Pd:157W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; RF Transistor Case:TO-263; No. of Pins:3Pins
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
GA20SICP12-263
DISTI # 20816493		GeneSic Semiconductor IncTrans JFET N-CH 1200V 20A SiC 4-Pin(3+Tab) TO-263
RoHS: Compliant		30
  • 2:$39.7250
GA20SICP12-263
DISTI # 1242-1194-ND		GeneSic Semiconductor IncSIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		90In Stock
  • 100:$48.1338
  • 50:$51.3428
  • 10:$55.5140
  • 1:$59.3700
GA20SICP12-263
DISTI # 08X5874		GeneSic Semiconductor IncSIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,Continuous Drain Current Id:20A,Power Dissipation Pd:157W,Operating Frequency Min:-,Operating Frequency Max:-,RF Transistor Case:TO-263,No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes30
  • 1:$31.7800
  • 5:$31.7800
  • 10:$31.7800
  • 25:$31.7800
  • 50:$31.7800
  • 100:$31.7800
GA20SICP12-263
DISTI # 905-GA20SICP12-263		GeneSic Semiconductor IncMOSFET 1200V 45A SIC CoPak
RoHS: Compliant		81
  • 1:$53.4900
  • 5:$51.9200
  • 10:$50.3400
  • 25:$47.1700
  • 50:$45.6000
  • 100:$44.9900
GA20SICP12-263
DISTI # 2362870		GeneSic Semiconductor IncSIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263
RoHS: Compliant		30
  • 1:£46.5100
  • 5:£45.2100
  • 10:£43.3500
  • 25:£40.2200
  • 50:£39.7100
GA20SICP12-263
DISTI # 2362870		GeneSic Semiconductor IncSIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263
RoHS: Compliant		30
  • 1:$94.6300
  • 10:$88.4900
  • 50:$81.8400
  • 100:$76.7300
Immagine Parte # Descrizione
GA20SICP12-263

Mfr.#: GA20SICP12-263

OMO.#: OMO-GA20SICP12-263

 MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
GA20SICP12

Mfr.#: GA20SICP12

OMO.#: OMO-GA20SICP12-1190

 Nuovo e originale
GA20SICP12-247

Mfr.#: GA20SICP12-247

OMO.#: OMO-GA20SICP12-247-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Nuovo e originale
GA20SICP12-263

Mfr.#: GA20SICP12-263

OMO.#: OMO-GA20SICP12-263-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC 4-Pin(3+Tab) TO-263
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Azione:
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2064
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