2SAR572DGTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 200 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

10 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2SAR572D

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

2SAR572, 2SAR57, 2SAR5, 2SAR, 2SA