BUR51

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

200 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

10 V

Corrente massima del collettore CC:

60 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

16 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BUR51

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Altezza:

8.7 mm (Max)

Lunghezza:

39.5 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

26.2 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

60 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

350 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

BUR5, BUR