APT66M60B2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

T-MAX-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

75 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

330 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.135 kW

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

POWER MOS 8

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.31 mm

Lunghezza:

21.46 mm

Larghezza:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

65 S

Tempo di caduta:

70 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

85 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

225 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

75 ns

Tags

APT66M, APT66, APT6, APT