NSVS50031SB3T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CPH-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

140 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

380 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSVS, NSV