IRFB4137PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

300 V

Id - Corrente di scarico continua:

38 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

56 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

125 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

341 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

45 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Parte # Alias:

SP001554580

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRFB413, IRFB41, IRFB4, IRFB, IRF