DMT10H010LSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

29.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

53.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.9 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMT10H010

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

42.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.6 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

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