RZE002P02TL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-416-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.4 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

RZE002P02

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

0.2 S

Tempo di caduta:

17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Parte # Alias:

RZE002P02

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

RZE002P02T, RZE00, RZE0, RZE