IXFR24N90P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

460 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

58 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

230 W

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFR24N90

Tipo:

MOSFET di potenza polare

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

16 S / 10 S

Tempo di caduta:

38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

68 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

46 ns

Unità di peso:

0.186952 oz

Tags

IXFR24, IXFR2, IXFR, IXF