FDFME3N311ZT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MicroFET-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

299 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDFME3N311ZT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET a trincea di potenza

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

2.8 S

Tempo di caduta:

2.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.000889 oz

Tags

FDFME, FDFM, FDF